講演情報
[21p-P09-13]UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長
〇三澤 亮太1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
酸化亜鉛,スパッタリング法,フォトルミネッセンス
我々は，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてZnO層のエピタキシャル成長を行っている．これまでに，高品質ZnO層の作製を目的に，比較的高温領域においてサファイア基板上にZnO層の成長を行った． その結果，900℃以上の基板温度で成長を行った場合，ZnO層内に多くの酸素空孔が存在することが解った．
そこで今回は，ZnO層の成長において，O2/Ar混合ガスを使用し，O2ガス混合比や基板温度を変化させて成長した場合の結晶性等について検討を行ったので報告する．
そこで今回は，ZnO層の成長において，O2/Ar混合ガスを使用し，O2ガス混合比や基板温度を変化させて成長した場合の結晶性等について検討を行ったので報告する．