[21p-P09-1~30] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-P09-15] Mist CVD法によるα-GIO混晶成長とα線検出応用に向けた検討

〇(M2)山田 魁¹、山田 琴乃¹、山田 梨詠¹、山本 拓実¹、櫻井 辰大²、尾沼 猛儀¹、山口 智広¹、青木 徹²、中野 貴之²、本田 徹¹ (1.工学院大学、2.静岡大学)

キーワード：

Mist CVD法,酸化ガリウムインジウム混晶,α線

Mist CVD法によりα-Ga₂O₃バッファ層上α-GIO混晶を成膜した。α-GIO混晶のIn組成は17％だった。このα-GIOに櫛形MSMダブルショットキー電極を形成し、α-GIO検出器を製作した。このα-GIO検出器にα粒子を照射することにより波高スペクトルを確認した。電圧を増加させることによって各チャネルに対する波高スペクトルが増加することが示された。