[21p-P09-1~30] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-P09-2] 非晶質酸化ガリウム薄膜固相結晶化へのエキシマレーザ照射条件の影響とマイクロ構造構築

〇塩尻 大士¹、甲斐 稜也²、金子 智^1,2、松田 晃史²、吉本 護² (1.神奈川産技総研、2.東工大)

キーワード：

ワイドギャップ半導体,酸化ガリウム,結晶成長

Ga₂O₃の結晶多形のうち、熱力学的に安定なβ相薄膜は最低でも400℃以上で作製されており、その微細構造構築はデバイス応用に重要だが低毒性・低温プロセスの報告は少ない。本研究では、エキシマレーザ照射条件が非晶質Ga₂O₃薄膜の固相結晶成長へ与える影響について調べるとともに、低毒性・低温プロセスによるβ-Ga₂O₃薄膜のマイクロパターニング手法について検討した。