[21p-P09-1~30] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-P09-23] 大気圧MOVPE法でサファイア基板上に成膜したβ-Ga₂O₃薄膜の高濃度Siドーピング

〇浮田 駿¹、田尻 武義¹、内田 和男¹ (1.電通大)

キーワード：

酸化ガリウム,有機金属気相成長法