[21p-P09-1~30] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-P09-26] ガリウムスズ酸化物薄膜ReRAMにおける負性微分抵抗の発現

〇(B)三上 創太¹、木村 睦¹、宮戸 祐治¹ (1.龍谷大先端理工)

キーワード：

抵抗変化型メモリ/ReRAM,GTO,負性微分抵抗

本グループでは、ガリウムスズ酸化物(GTO)薄膜を用いたReRAMの開発を行っている。ReRAMとして安定したヒステリシス特性を示すには、GTO薄膜を三層に分け、スパッタ成膜する際の酸素流量を三層で変えるプロセスが最善だと考えている。本発表では、その酸素流量の条件探索をする中で、ReRAMとして機能するとともに、負性微分抵抗特性も示す現象を観察したので、その詳細について報告する。