[21p-P09-1~30] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-P09-29] (001) β-Ga₂O₃基板に対するHClガスエッチングの温度とHCl分圧依存性

大島 祐一¹、〇大島 孝仁¹ (1.NIMS)

キーワード：

酸化ガリウム,ガスエッチング,塩化水素