[22a-A201-1~12] CS.8 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[22a-A201-1] 格子整合によるY 添加HfO₂強誘電体薄膜の配向制御

〇(M2)前川 芳輝¹、平井 浩司¹、岡本 一輝¹、清水 荘雄²、舟窪 浩¹ (1.東工大物院、2.物質・材料研究機構)

キーワード：

強誘電体,PLD法,HfO2

蛍石型構造HfO₂基膜の強誘電性は、2011年に初めて報告された。ペロブスカイト型構造材料のような従来の強誘電体とは異なり、10 nm以下の多結晶、極薄膜で安定した強誘電性を示すため、メモリ応用に向け広く研究される。しかし、正方晶PZTやAlN基強誘電体のように、分極軸に単一配向したエピタキシャル膜を用いた電気的特性評価は検討されていない。そこで本研究では、HfO₂基薄膜の配向制御方法について検討したので報告する。