講演情報
[22a-A201-11]HZO-FeFETにおける読み出し動作の積算が分極状態に与える影響
〇大友 将樹1、トープラサートポン カシディット1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)
キーワード：
HZO,FeFET,Read disturb
次世代不揮発性メモリは，実用化する上で読み出し動作に伴い特性が変化するRead disturbを考慮する必要がある。FeFETの場合は読み出し時にゲート電圧を印加するが，Read disturbを見積もる上で，一回の読み出しだけではなく複数回の読み出しによる影響も重要となる。本研究では，HZO-FeFETに低電圧を繰り返し印加した際に，低電圧印加の積算が分極状態に与える影響を調査した。