講演情報
[22a-A201-5]HfO2 系強誘電体膜の絶縁破壊箇所の電子状態: レーザー励起光電子顕微鏡
〇藤原 弘和1、糸矢 祐喜2、小林 正治2,3、Bareille Cédric4,5、辛 埴5,6、谷内 敏之4,5 (1.東大物性研、2.東大生産研、3.東大d.lab、4.東大新領域、5.東大MIRC、6.東大特別教授室)
キーワード：
強誘電体キャパシタ,光電子顕微鏡,非破壊観察
光電子顕微鏡を用いて、HfO2系強誘電体キャパシタの絶縁破壊（DB）箇所の電子状態が調査されてきたが、励起光エネルギーが4.66 eVと低く、欠陥状態の情報が限定的だった。本研究では、5.82 eVの連続波レーザーによる観察を実施した。DB箇所では、1 eV以上の広い領域で状態密度が増加していることを解明した。これは、高エネルギー連続波レーザーが、DB箇所の電子状態研究に有用であることを示している。