[22a-A201-1~12] CS.8 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

10:15 〜 10:30

[22a-A201-6] Hf-Zr-O強誘電体薄膜の分極ドメインの挙動解析

〇右田 真司¹、浅沼 周太郎¹、森田 行則¹、太田 裕之¹ (1.産総研)

キーワード：

強誘電体,メモリー,分極ドメイン

HfO₂系強誘電体は、Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT)系に続く不揮発性メモリ用途の新材料として期待が高まっている。強誘電体材料の研究では自発分極量や書き換え耐性といった代表的な特性の向上に注目が集まる一方で、強誘電体薄膜の誘電応答を調べて分極ドメインの挙動を解析することも興味深い。PZT系強誘電体ではキャパシタのC-V特性を解析することで分極ドメイン壁の振る舞いが解析されている。本研究では同様の手法を用いてHf-Zr-O強誘電体薄膜の分極ドメインの挙動解析を行なった。