講演情報
[22a-A202-2]ReドープMoSe2同一結晶面内ヘテロ構造によるトンネルFET動作
〇香崎 飛竜1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大、2.埼大)
キーワード：
TMDC,TFET
二次元トンネルFETは，超低消費電力動作と高駆動電流の両立が期待される．我々は，Nbドープp+-MoS2結晶において，集積化に適した単一ゲート動作にてn型TFETを実証してきた．しかしながら，単一ゲートのp型TFETに関しては，欠陥起因のn+-SnSe2を利用した報告のみである。本研究では，CVT成長段階でMoをReに1%置換したn+-MoSe2を用いてバルクと上層のAuCl3による正孔供与でp型移行した単層による同一結晶面内ヘテロ構造を作製し，単一ゲートp型TFET動作を試みた．