講演情報
[22a-A202-4]界面束縛双極子層を用いたMoS2トランジスタの電荷注入スイッチング
木井 浩喜1、〇野内 亮2,3 (1.大阪府立大工、2.大阪公立大工、3.JSTさきがけ)
キーワード：
二次元半導体,閾値電圧シフト,電荷注入障壁
層状結晶の剥離で得られる二次元材料は、ダングリングボンドの少ない基底面を有していることから、表面への異種材料の積層により種々の特性を変調可能である。そういった表面堆積層として、外場により変調を受ける物質を採用すれば、デバイス特性の動的な制御への道が拓ける。本講演では、永久双極子を有する分子の吸着層によって、多層MoS2をチャネルとした電界効果トランジスタにおいて動的制御がなされた事例を報告する。