[22a-A303-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:00 〜 9:15

[22a-A303-1] イオン注入法によるn型無歪Ge_1-xSn_x(111)エピタキシャル層の形成

〇(M1)加藤 芳規¹、柴山 茂久¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹、中塚 理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

GeSn(111),イオン注入法