セッション詳細
[22a-A303-1]イオン注入法によるn型無歪Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成
〇(M1)加藤 芳規1、柴山 茂久1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
[22a-A303-3]プラズマ活性化接合応用に向けたSiCN膜の特性評価
〇蛯子 颯大1、大西 洸輝1、上殿 明良2、Serena Iacovo3、井上 史大1 (1.横国大院理工、2.筑波大、3.imec)
[22a-A303-4]陽電子消滅寿命測定法による接合界面の空孔解析
〇斎藤 聡哲1、藤井 宣年1、古瀬 駿介1、小川 直樹1、齋藤 卓1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))