セッション詳細

[22a-A303-1~9]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2023年9月22日(金) 9:00 〜 11:15
A303 (熊本城ホール)
百瀬 健(東大)

[22a-A303-1]イオン注入法によるn型無歪Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成

〇(M1)加藤 芳規1、柴山 茂久1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[22a-A303-2]SiOx層挿入によるTiOx系ReRAMの動作安定化

〇大沢 遼輝1、岩澤 侑司1、相川 慎也1 (1.工学院大)

[22a-A303-3]プラズマ活性化接合応用に向けたSiCN膜の特性評価

〇蛯子 颯大1、大西 洸輝1、上殿 明良2、Serena Iacovo3、井上 史大1 (1.横国大院理工、2.筑波大、3.imec)

[22a-A303-4]陽電子消滅寿命測定法による接合界面の空孔解析

〇斎藤 聡哲1、藤井 宣年1、古瀬 駿介1、小川 直樹1、齋藤 卓1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))

[22a-A303-5]選択的中性無電解銅めっきでポリイミドフィルム上に形成したCu配線

〇平野 雄大1、杉浦 修1 (1.千葉工大工)

[22a-A303-6]新電解技術による微細配線の非接触めっき成膜

〇岩津 春生1 (1.KMP研究所)

[22a-A303-7]新電解技術によるSi酸化膜へのエッチングシミュレーション

〇岩津 春生1、松島 章2 (1.熊本工学会、2.福岡工業大学)

[22a-A303-8]コバルトエチレンジアミン錯体溶液中の平衡電極電位の磁場依存性

〇田口 侑宜1、杉浦 修1 (1.千葉工大工)

[22a-A303-9]高信頼性配線形成に向けたCCTBA原料によるCo-ALDの検討

〇山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、百瀬 健1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)