[22a-A303-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:15 〜 9:30

[22a-A303-2] SiO_x層挿入によるTiO_x系ReRAMの動作安定化

〇大沢 遼輝¹、岩澤 侑司¹、相川 慎也¹ (1.工学院大)

キーワード：

抵抗変化メモリ,TiOx,SiOx