[22a-A401-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

11:45 〜 12:00

[22a-A401-12] 斜入射イオンビーム照射によるエッチング生成物の脱離角度分布

〇伊藤 智子¹、唐橋 一浩¹、浜口 智志¹ (1.阪大院工)

キーワード：

斜入射イオンビーム,プラズマエッチング,エッチング生成物