[22a-B101-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15

[22a-B101-1] InN成長におけるサファイア基板表面への窒素プラズマ処理の効果

〇後藤 高寛¹、熊谷 直人¹、清水 鉄司¹、山田 永¹、井手 利英¹、前田 辰郎¹ (1.産総研)

キーワード：

InN,MOCVD

本研究では、InN膜の堆積直前に、超高密度窒素プラズマ照射でサファイア表面を窒化させることで、InN膜の結晶成長にどのような影響を及ぼすのかを検討した。ラマンスペクトルから、窒素プラズマ処理がInN膜の膜質改善に効果的であることがわかった。当日は、PLやTEM分析の結果とあわせて、サファイア基板への窒素プラズマ処理とInN膜への効果について議論する。