2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-B101-1~10]15.4 III-V族窒化物結晶

2023年9月22日(金) 9:00 〜 11:45
B101 (市民会館)
谷川 智之(阪大)、 上杉 謙次郎(三重大)
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9:00 〜 9:15

[22a-B101-1]InN成長におけるサファイア基板表面への窒素プラズマ処理の効果

〇後藤 高寛1、熊谷 直人1、清水 鉄司1、山田 永1、井手 利英1、前田 辰郎1 (1.産総研)
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9:15 〜 9:30英語発表

[22a-B101-2]Hybrid quantum-well InGaN red LEDs studied by correlative micro-photoluminescence spectroscopy

〇(D)Zhaozong Zhang1, Ryota Ishii1, Kanako Shojiki1, Mitsuru Funato1, Daisuke Iida2, Kazuhiro Ohkawa2, Yoichi Kawakami1 (1.Kyoto Univ., 2.KAUST)
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9:30 〜 9:45

[22a-B101-3]アンモニアを用いたFace-to-faceアニールによるInGaNの気相マストランスポート

〇中田 敦士1、佐々木 彩乃1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学)
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9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[22a-B101-4]Al原料で処理したサファイア基板上への低温緩衝層フリーなGaN成長

〇竹村 幸大1、福井 崇人1、松田 祥伸1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)
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10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[22a-B101-5]GaN基板上緑色GaInN量子井戸における障壁層の検討

〇野津 浩太朗1、中野 元基1、渡邊 琉加1、柳川 光樹1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、野中 健太朗2、倉岡 義孝2、吉野 隆史2 (1.名城大理工、2.日本ガイシ)
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10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[22a-B101-6]水素クリーニングを用いた高品質AlInN下地層

〇西川 大智1、柴田 夏奈1、長澤 剛1、小林 憲汰1、渡邊 琉加1、柳川 光樹1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
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10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[22a-B101-7]AlGaN量子井戸形成時における成長中断の影響

〇(M1)岡 龍乃介1、可知 朋晃1、高畑 勇太1、石黒 永孝1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、奥野 浩司2、齋藤 義樹2 (1.名城大理工、2.豊田合成株式会社)
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11:00 〜 11:15

[22a-B101-8]アンモニアフリー高温 MOCVD 法 による 窒素極性 AlN の 成長

〇沈 旭強1、児島 一聡1 (1.産総研)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[22a-B101-9]N極性GaN/AlGaN/AlN構造の電気特性の関係

〇宮本 弥凪1、花咲 光基1、小脇 岳土1、稲原 大輔1、ザズリ アイナ　ヒヤマ1、藤井 開1、木本 大星1、ニノ木 亮祐1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学)
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11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[22a-B101-10]N極性面AlNの結晶品質がGaN/AlN構造の電気特性に及ぼす影響

〇小脇 岳土1、花咲 光基1、宮本 弥凪1、稲原 大輔1、Zazuli Aina Hiyama1、藤井 開1、木本 大星1、仁ノ木 亮祐1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院創成科学)
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