講演情報
[22a-B101-4]Al原料で処理したサファイア基板上への低温緩衝層フリーなGaN成長
〇竹村 幸大1、福井 崇人1、松田 祥伸1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)
キーワード：
結晶成長,GaN,MOVPE
サファイアやScAlMgO4などの基板上にGaNをエピタキシャル成長する場合，一般的に低温緩衝層が用いられる．一方で，近年，トリメチルアルミニウム(TMA)で前処理したScAlMgO4基板上において，低温緩衝層を用いずに高品質なGaNを成長可能であることが確認されている．本研究では，同様の処理により，サファイア基板上でも低温緩衝層を用いることなく，高品質なGaNが成長可能であることを見出したので報告する．