講演情報
[22a-B201-12]コンタクトの異なるAlGaN/GaN界面2DEGの低周波ノイズ測定
〇上田 浩輔1、片倉 滉司、星井 拓也1、筒井 一生2、若林 整2、角嶋 邦之1 (1.東京工業大学工学院、2.東工大科学技術創成研)
キーワード：
半導体,GaN HEMT,低周波ノイズ
ノイズのアップコンバートという観点から、GaN HEMTの低周波ノイズを低減することが重要である。そこで、2DEGへ間接的にコンタクトをとったデバイスと直接的にコンタクトをとったデバイスを作製し低周波ノイズを測定した。その結果2DEGに直接コンタクトをとったほうがノイズを低減できることが分かった。