[22a-B201-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45

[22a-B201-3] HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル

〇秩父 重英¹、大西 一生²、新田 州吾²、本田 善央^2,3、天野 浩^2,3、嶋 紘平¹ (1.東北大多元研、2.名大IMaSS、3.名大高等研究院)

キーワード：

光半導体材料,ハライド気相エピタキシー,フォトルミネッセンス

縦型GaNパワーデバイス実用化に必要な要素部品として、制御された低キャリア濃度n^-型ドリフト層やp, n型セグメント等が挙げられる。高耐圧厚膜ドリフト層の成長には原料分子に炭素を含まないハライド気相エピタキシャル成長(HVPE)法が適しており、これまでにHVPE法を用いた超高純度無添加GaNやn-GaN層の成長、およびMgO原料を用いたMg添加p-GaN成長、再成長を用いない連続成長によるpn接合の形成等が報告されている。本講演では、HVPE成長p-GaN:Mgのフォトルミネッセンス(PL)測定結果をMOVPE成長p-GaN:Mgの結果と比較し、現状と課題について吟味する。