講演情報
[22a-B201-6]GaN HEMTにおけるトランジスタ特性とバルクトラップ回路パラメータの関連性（デバイスシミュレーション）
〇(M2)西嶋 尚1、久樂 顕2、山口 裕太郎2、大石 敏之1、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大学、2.三菱電機)
キーワード：
ガンへムト,トラップ,二端子対回路
GaN HEMTを使用した回路では、トラップモデルの精度が重要な課題である。これまでGaN層中のFeトラップはY22虚部のピーク周波数が変化することが分かった。今回、シミュレーションのDCパラメータがトラップピーク周波数に与える影響について検討した。その結果、ピーク周波数はDC電力と相関があることがわかった。このことから、DC電力に依存するトラップ時定数を考慮することで、回路特性の計算精度が向上できると考えられる。