講演情報
[22a-B201-7]GaN HEMTに対する低周波Y21とY22信号のドレイン電圧依存性
〇大石 敏之1、高田 栞1、久樂 顕2、山口 裕太郎2、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大、2.三菱電機)
キーワード：
GaN,トラップ,Yパラメータ
低周波領域におけるY22やY21はGaN HEMT中のトラップにより応答する。今回、ドレイン電圧3～30 V（ゲート電圧0 V）の範囲でY22とY21虚部におけるピーク周波数を観察した。その結果、Y21虚部には、Y22虚部のピーク周波数と同じ傾向を示す2種類とY22虚部には現れない1種類のピークが存在することがわかった。Y22虚部の2種類はGaN層中のFeピークと自己発熱のピークと考えられる。このため、Y21虚部特有のピークはAlGaNバリアもしくは表面に由来するトラップピークと推測される。