講演情報
[22a-B201-8]GaN HEMT中のトラップ位置と低周波Y21とY22虚部の関係（デバイスシミュレーションによる検討）
〇大石 敏之1、諸隈 奨吾1、久樂 顕2、山口 裕太郎2、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大、2.三菱電機)
キーワード：
GaN,トラップ,シミュレーション
低周波における二端子対回路パラメータを利用したトラップ評価で、Y22とY21虚部のピーク周波数の関係をデバイスシミュレーションで検討した。場所を限定した仮想的なトラップ（アクセプタ型）の深さをGaN、AlGaN中で変更し、Y22とY21虚部の周波数依存性を計算した。その結果、GaN層中トラップでは、Y21とY22虚部は反対の符号のトラップピークが現れた。また、AlGaN層中トラップでは、Y22に比べてにY21虚部に明確なピークが現れることがわかった。トラップの位置によりY22とy21虚部ピークの振る舞いが異なることを利用すれば、トラップ位置が推測できると考えられる。