[22a-B201-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[22a-B201-9] Sパラメータの周波数依存性を用いたトランジスタ動作時のGaN HEMTのトラップとRF特性の同時評価

〇(M1)津山 慎樹¹、久樂 顕²、山口 裕太郎²、大石 敏之¹、新庄 真太郎²、山中 宏治² (1.佐賀大、2.三菱電機)

キーワード：

GaN,トラップ,ソースフィールドプレート

GaN HEMTのSパラメータを二端子対回路網で10Hzから3GHzの範囲で測定し、トラップとRF特性を同時に評価し、ソースフィールドプレートの効果について検討した。その結果、低周波領域ではSFPによりゲート電極端の電界が緩和された為、表面側トラップの応答が低減された。高周波領域ではSFPによりソース・ドレイン間容量が増加した為、電流利得が低下していた。更にデバイスシミュレーションを使いSFPの効果は高いV_DSで顕著となることを確認した。