[22a-C501-1~8] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[22a-C501-1] 3次元自己組織化多層SiGeナノドットの熱物性

〇横川 凌^1,2、寿川 尚¹、前田 唯葉¹、伊藤 佑太¹、山下 雄一郎³、Wen Wei-Chen⁴、山本 裕司⁴、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.産総研、4.IHP)

キーワード：

SiGe,ナノドット,フォノン散乱

本講演ではStranski-Krastanov成長した自己組織化多層SiGeナノドットに対し、微視的な熱物性とフォノン散乱メカニズムの関係を評価したので報告する。縦積層、千鳥状に積層させた 3 次元自己組織化SiGeナノドットを準備し比較した結果、異なる熱伝導率を有することが分かった。これらの結果を踏まえ、自己組織化多層SiGeナノドットの配列を変えることで、フォノン散乱を制御できると考えている。