講演情報
[22p-B101-1]THz-TDSEによるGaN/SAMテンプレートの非接触・非破壊計測
〇藤井 高志1,2,3、渡邉 迅登1、王 丁丁1、福田 承生2、岩本 敏志3、出浦 桃子4、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.福田結晶技研、3.日邦プレシジョン、4.R-GIRO)
キーワード：
テラヘルツ,GaN,ScAlMgO4
RF-MBE法により成長したGaN/SAMテンプレートをTHz-TDSEによる非接触・非破壊検査手法の開発を行っている。しかしながら、GaN/SAMテンプレートで膜厚さが1µm以下の場合、Fresnelの解析に特性インピーダンスを考慮した解析を組み合わせる手法を適用した。現在、我々は3次元半導体の極薄膜に関して膜界面の電子の散乱を考慮してより薄いGaN膜の精度の高い解析手法の開発を行っている。