セッション詳細

[22p-B101-1~16]15.4 III-V族窒化物結晶

2023年9月22日(金) 13:30 〜 18:00
B101 (市民会館)
山口 敦史(金沢工大)、 石井 良太(京大)、 嶋 紘平(東北大)

[22p-B101-1]THz-TDSEによるGaN/SAMテンプレートの非接触・非破壊計測

〇藤井 高志1,2,3、渡邉 迅登1、王 丁丁1、福田 承生2、岩本 敏志3、出浦 桃子4、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.福田結晶技研、3.日邦プレシジョン、4.R-GIRO)

[22p-B101-2]THz-TDSEによるMgイオン注入したGaN単結晶の電気特性評価(II)

〇王 丁丁1、渡邉 迅登1、藤井 高志1,3、出浦 桃子2、岩本 敏志3、須山 篤志4、川野輪 仁4、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.日邦プレシジョン、4.イオンテクノセンター)

[22p-B101-3]分光エリプソメトリーによるScAlN/GaNの光学物性評価

〇前田 拓也1、若本 裕介1、金木 奨太2、藤倉 序章2、小林 篤3 (1.東大、2.住友化学、3.東京理科大)

[22p-B101-4]GaInN/GaNヘテロ構造内フォノン輸送へのIn混晶組成変化構造の影響

〇浅地 竜也1、Thee Ei Khaing Shwe1、飯田 大輔2、Mohammed A.Najimi2、大川 和宏2、馬 ベイ1、石谷 善博1 (1.千葉大院工、2.KAUST)

[22p-B101-5]フォノン・励起子・輻射モデルによるGaN/AlN量子井戸の2次元励起子へのフォノン過程の影響の解析

〇(D)地崎 匡哉1、石谷 善博1 (1.千葉大院工)

[22p-B101-6]ラマン分光法による c 面 GaN の面内異方性歪の評価①

〇武内 一真1、小倉 広之1、蓮池 紀幸2、神川 剛1 (1.京セラ株式会社、2.京都工芸繊維大学)

[22p-B101-7]ラマン分光法による c 面 GaN の面内異方性歪の評価②

〇武内 一真1、小倉 広之1、蓮池 紀幸2、神川 剛1 (1.京セラ株式会社、2.京都工芸繊維大学)

[22p-B101-8]顕微ラマン分光法によるELO GaN層の面内応力マッピング

〇小倉 広之1、武内 一真1、神川 剛1 (1.京セラ株式会社)

[22p-B101-9]光熱偏向分光法によるGaNトンネル接合中に形成されたバンドギャップ内準位の評価

〇市川 颯人1、宇田 陽1、野田 幸樹1、今井 大地1、竹内 哲也1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工)

[22p-B101-10]光熱偏向分光法によるC, Oイオン注入したGaNの評価

〇(M1)齋藤 太助1,2、新井 雄稀1,2、坂口 勲1、尾沼 猛儀2、本田 徹2、角谷 正友1 (1.物材機構、2.工学院大)

[22p-B101-11]ハライド気相成長法によって成長させた低炭素濃度GaN結晶のフォトルミネッセンス評価

〇佐野 昂志1、藤倉 序章2、今野 泰一郎2、金木 奨太2、市川 修平1、小島 一信1 (1.阪大院工、2.住友化学株式会社)

[22p-B101-12]低転位AlNテンプレートを用いたAlGaN量子井戸構造における内部量子効率の量子井戸数依存性

〇稲井 滉介1、押村 遼太1、姫野 邦夫1、藤井 恵1、大西 悠太1、倉井 聡1、岡田 成仁1、上杉 謙次郎2,3、三宅 秀人4、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学、2.三重大・研基機構、3.三重大院・地域イノベ、4.三重大院・工)

[22p-B101-13]UV-C発光帯AlGaN多重量子井戸構造におけるCL強度ラインプロファイルの電流依存性

〇大西 悠太1、山口 竜平1、武居 俊宏1、倉井 聡1、岡田 成仁1、上杉 謙次郎2,3、三宅 秀人4、山田 陽一1 (1.山口大院創成科学、2.三重大研基機構、3.三重大院地域イノベ、4.三重大院工)

[22p-B101-14]220~260 nm発光帯AlGaN量子井戸構造における効率曲線の温度依存性

稲井 滉介1、姫野 邦夫1、谷 海智1、林 拓誠1、〇室谷 英彰2、倉井 聡1、岡田 成仁1、上杉 謙次郎3,4、三宅 秀人5、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学、2.徳山高専、3.三重大・研基機構、4.三重大院・地域イノベ、5.三重大院・工)

[22p-B101-15]AlNのMgアクセプタ束縛エネルギーについて:実験

〇石井 良太1、吉川 陽2、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工、2.名大)

[22p-B101-16]AlNのMgアクセプタ束縛エネルギーについて:理論

〇石井 良太1、吉川 陽2、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工、2.名大)