講演情報
[22p-B201-1]SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響
〇溝端 秀聡1、野﨑 幹人1、小林 拓真1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
キーワード：
GaN,MOS,正孔トラップ
p-GaN MOS 界面では，表面フェルミ準位のピニングに より正孔の蓄積状態が見られないほど，価電子帯近傍に多くの正孔トラップが存在することが問題となっ ている。一方で我々は，Mg ドープ濃度の高い基板を用いた p-GaN MOS 構造では正孔蓄積が観測で きることを以前に報告した。そこで本研究では，p-GaN MOS 界面の正孔トラップ低減に対する Mg ド ープ濃度の影響についてより詳細に調べたので報告する。