2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B201-1~14]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年9月22日(金) 13:45 〜 17:30
B201 (市民会館)
谷田部 然治(熊本大)、 前田 拓也(東大)
13:45 〜 14:00

[22p-B201-1]SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響

〇溝端 秀聡1、野﨑 幹人1、小林 拓真1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[22p-B201-2]GaN/SiO2界面のGaOx中間層におけるMgGa-Voの理論計算

〇服部 柊人1、押山 淳2、白石 賢二1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
14:15 〜 14:30

[22p-B201-3]MgとNのイオン共注入を行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価

〇畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
14:30 〜 14:45

[22p-B201-4]光電気化学エッチングを施したp-GaN を用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C–V測定

〇忽滑谷 崇秀1、焦 一寧1、高津 海1、佐藤 威友1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
14:45 〜 15:00

[22p-B201-5]微傾斜トレンチ構造に適するGaN結晶面上のMOS特性

〇平井 悠久1、三浦 喜直1、中島 昭1、原田 信介1 (1.産業技術総合研究所)
15:00 〜 15:15

[22p-B201-6]AlSiO/n-GaN MOS構造の容量-電圧特性における超高圧アニール時間依存性

〇平田 拓巳1、兼近 将一2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[22p-B201-7]Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価

〇冨ケ原 一樹1、小林 拓真1、野﨑 幹人1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[22p-B201-8]ミストCVD法によるアモルファスAl2O3薄膜とmist-Al2O3/AlGaN/GaN MISキャパシタの界面評価

〇廣重 輝1、尾藤 圭悟1、橋本 蓮1、石黒 真輝2、アスバル ジョエル2、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大、2.福井大)
16:00 〜 16:15

[22p-B201-9]ノーマリオフ型EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおける膜中残留応力が電気的特性に与える影響のTCADによる検討

〇大石 敏之1、南條 拓真2、古橋 壮之2、西川 和康2 (1.佐賀大、2.三菱電機)
16:15 〜 16:30

[22p-B201-10]p-GaN表面層に対する低損傷PECエッチングとその電気化学的評価(2)

〇高津 海1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
16:30 〜 16:45

[22p-B201-11]AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御

〇富樫 拓也1、沖 勇吾1、大澤 由斗1、越智 亮太1、赤澤 正道1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
16:45 〜 17:00

[22p-B201-12]AlGaN/GaNヘテロ構造に対するシングルまたはハイブリッド電極構造を用いたリセスオーミック接触の特性評価

〇瓜生 和也1,2、Deng Yuchen1、鈴木 寿一1 (1.北陸先端大、2.アドバンテスト研)
17:00 〜 17:15

[22p-B201-13]CLおよびTOF-SIMSによるGaN表面のエッチングダメージ評価

〇米村 卓巳1、菅原 健太1 (1.住友電工（株）)
17:15 〜 17:30

[22p-B201-14]スパッタ成膜n型GaN層の表面形態に対する窒素ラジカル照射効果

〇山田 真嗣1、田中 希帆1、新井 学1、加地 徹1、須田 淳1 (1.名大)
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