セッション詳細
[22p-B201-1~14]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2023年9月22日(金) 13:45 〜 17:30
B201 (市民会館)
谷田部 然治(熊本大)、 前田 拓也(東大)
[22p-B201-1]SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響
〇溝端 秀聡1、野﨑 幹人1、小林 拓真1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
[22p-B201-4]光電気化学エッチングを施したp-GaN を用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C–V測定
〇忽滑谷 崇秀1、焦 一寧1、高津 海1、佐藤 威友1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
[22p-B201-6]AlSiO/n-GaN MOS構造の容量-電圧特性における超高圧アニール時間依存性
〇平田 拓巳1、兼近 将一2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
[22p-B201-7]Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価
〇冨ケ原 一樹1、小林 拓真1、野﨑 幹人1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
[22p-B201-8]ミストCVD法によるアモルファスAl2O3薄膜とmist-Al2O3/AlGaN/GaN MISキャパシタの界面評価
〇廣重 輝1、尾藤 圭悟1、橋本 蓮1、石黒 真輝2、アスバル ジョエル2、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大、2.福井大)
[22p-B201-9]ノーマリオフ型EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおける膜中残留応力が電気的特性に与える影響のTCADによる検討
〇大石 敏之1、南條 拓真2、古橋 壮之2、西川 和康2 (1.佐賀大、2.三菱電機)
[22p-B201-11]AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御
〇富樫 拓也1、沖 勇吾1、大澤 由斗1、越智 亮太1、赤澤 正道1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
[22p-B201-12]AlGaN/GaNヘテロ構造に対するシングルまたはハイブリッド電極構造を用いたリセスオーミック接触の特性評価
〇瓜生 和也1,2、Deng Yuchen1、鈴木 寿一1 (1.北陸先端大、2.アドバンテスト研)