[22p-B201-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:15 〜 16:30

[22p-B201-10] p-GaN表面層に対する低損傷PECエッチングとその電気化学的評価(2)

〇高津 海¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

p-GaN,PECエッチング