講演情報
[22p-B201-13]CLおよびTOF-SIMSによるGaN表面のエッチングダメージ評価
〇米村 卓巳1、菅原 健太1 (1.住友電工（株）)
キーワード：
窒化ガリウム,プロセスダメージ,カソードルミネッセンス
半導体デバイス製造で用いるエッチング処理によってGaN表面に生じる欠陥などのダメージはデバイス特性バラつきや信頼性低下に繋がり、その評価技術の開発は重要である。しかし、これらダメージは表面に存在し僅差であるため検出が難しい。そこで本研究ではGaN表面でのダメージ発生メカニズムの解明を目指し、カソードルミネッセンスと飛行時間型二次イオン質量分析を組み合わせた評価技術の開発を行ったので報告する。