講演情報
[22p-B201-5]微傾斜トレンチ構造に適するGaN結晶面上のMOS特性
〇平井 悠久1、三浦 喜直1、中島 昭1、原田 信介1 (1.産業技術総合研究所)
キーワード：
窒化ガリウム,MOS,トレンチ
GaNはウェットエッチ処理で平滑な結晶面が得られ、次世代パワーデバイスのGaNトレンチMOS技術に活用できる。トレンチの形状についてデバイス量産性の観点では、垂直トレンチからわずかに開口した形状が好ましい。本研究は、わずかに開口したトレンチ形状の制御プロセスを確立し、同トレンチ側壁を用いて優れたMOS特性が得られることを実験的に実証した。