講演情報
[22p-B201-8]ミストCVD法によるアモルファスAl2O3薄膜とmist-Al2O3/AlGaN/GaN MISキャパシタの界面評価
〇廣重 輝1、尾藤 圭悟1、橋本 蓮1、石黒 真輝2、アスバル ジョエル2、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大、2.福井大)
キーワード：
ミストCVD,Al2O3,AlGaN/GaN
AlGaN/GaNヘテロ構造は低損失かつ高速動作可能なデバイスであり、順バイアス動作時のゲートリーク電流抑制のために金属-絶縁体-半導体(MIS)構造が用いられる。本研究では原料溶液の超音波霧化と熱分解反応によって大気圧下で低コストに酸化物薄膜が堆積可能なミストCVD法をAlGaN/GaNヘテロ構造上のゲート絶縁膜堆積手法に応用をした。ミストCVD法で堆積したmist-Al2O3薄膜の膜質、及びmist-Al2O3/AlGaN界面特性について報告をする。