講演情報
[22p-B201-9]ノーマリオフ型EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおける膜中残留応力が電気的特性に与える影響のTCADによる検討
〇大石 敏之1、南條 拓真2、古橋 壮之2、西川 和康2 (1.佐賀大、2.三菱電機)
キーワード：
ノーマリーオフGaN HEMT,残留応力,シミュレーション
ノーマリーオフ動作が実証されている「完全空乏化したヘテロエピを用いたプレーナ型デバイス」の寄生抵抗低減の要因について、保護膜と電極の膜中残留応力が与える影響をTCADシミュレーションで検討した。アクセス領域のSiO2膜、およびゲート金属に−2～2 GPaの残留応力を与え、歪を計算し、この歪から誘起される分極を計算、ドレイン電流-ゲート電圧特性を計算した。その結果、残留応力がない場合、ドレイン電流はほとんど流れなかったが、SiO2膜に圧縮（負）の残留応力を与えることでノーマリーオフ動作したままドレイン電流が流れることがわかった。