講演情報

[22p-P03-1]Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成

〇松本 泰河1、柴山 茂久1、大田 晃夫2、横川 凌3,4、黒澤 昌志1、坂下 満男1、中塚 理1 (1.名大院工、2.福岡大理、3.明治大理工、4.明治大MREL)

キーワード:

偏析,GeSn,極薄膜