セッション詳細
[22p-P03-1~9]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
2023年9月22日(金) 13:30 〜 15:30
P03 (熊本城ホール)
[22p-P03-1]Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成
〇松本 泰河1、柴山 茂久1、大田 晃夫2、横川 凌3,4、黒澤 昌志1、坂下 満男1、中塚 理1 (1.名大院工、2.福岡大理、3.明治大理工、4.明治大MREL)
[22p-P03-2]Ge-on-SOIを用いた完全浮遊型マイクロブリッジの作製
〇小田島 綾華1、井上 貴裕1、長尾 優希1、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学)
[22p-P03-3]超音波による歪みSiGe/Ge-on-Si(111)へのクラック発生
〇芝原 夕夏1、金澤 怜奈1、菊岡 柊也1、長尾 優希1、山田 道洋2,3、浜屋 宏平2,4,5 (1.東京都市大学、2.阪大基礎工CSRN、3.JST さきがけ、4.阪大 OTRI、5.阪大基礎工)
[22p-P03-4]レーザーマーカを用いたGe-on-Insulator(111)の作製と歪みSiGe再成長
〇櫻井 優一1、高松 海夕1、佐野 汐音1、金澤 伶奈1、菊岡 柊也1、井上 貴裕1、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学)
[22p-P03-5]Ge-on-Insulator (100)上のSiGe/Ge多重量子井戸の作製と結晶性および光学特性評価
〇佐野 汐音1、金澤 怜奈1、櫻井 優一1、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学)
[22p-P03-6]Effect of amorphous GeS on the morphology of crystallized GeS by vapor transport method
〇Qinqiang Zhang1, Ryo Matsumura1, Naoki Fukata1,2 (1.NIMS, 2.Tsukuba Univ.)
[22p-P03-7]Geシード技術による多結晶GaAs粒径制御とフレキシブル太陽電池応用
〇西田 竹志1,2、末益 崇2、都甲 薫2 (1.産総研、2.筑波大学)
[22p-P03-8]Si上Ge埋め込みエピタキシャル成長におけるトレンチ幅の影響
〇前田 匠海1、加藤 滉大1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、山根 啓輔1、飛沢 健1、中井 哲弥2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.SUMCO)
[22p-P03-9]Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル中間層の影響
〇古家 聖輝1、葛谷 樹矢1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、飛沢 健1、山根 啓輔1、藤原 弘康2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.浜松ホトニクス)