講演情報
[22p-P03-8]Si上Ge埋め込みエピタキシャル成長におけるトレンチ幅の影響
〇前田 匠海1、加藤 滉大1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、山根 啓輔1、飛沢 健1、中井 哲弥2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.SUMCO)
キーワード：
ゲルマニウム
数µmのGe層を短時間に形成する方法として、Si(001)基板上へのトレンチ埋め込み成長を提案してきた。トレンチを[110]方向から45度傾いた[100]方向に形成することによりトレンチ側壁面上でのGe成長が促進され、短時間で数µmの深さのトレンチを埋め込むことが可能となる。今回はトレンチ埋め込み成長におけるトレンチ幅の影響について報告する。さらに、受光面積の増加のため、トレンチをアレイ化した影響についても検討を行った。