講演情報
[22p-P03-9]Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル中間層の影響
〇古家 聖輝1、葛谷 樹矢1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、飛沢 健1、山根 啓輔1、藤原 弘康2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.浜松ホトニクス)
キーワード：
ゲルマニウム,固相成長
面入射型Si上Ge近赤外受光器において、波長1.55 µm周辺で高い受光感度を実現するには、膜厚数ミクロンの高品質Ge層が必要である。化学気相成長（CVD）法においてGeエピタキシャル層をウェハ面内に均一に形成するには、成長速度を10 nm/min程度に抑える必要がある。膜厚数ミクロンのGeエピタキシャル層のCVD成長には通常長時間を要する。本研究では、Geエピタキシャル中間層を介したSi上非晶質Ge堆積膜の結晶化を検討した。