[22p-P07-1~6] 13.3 絶縁膜技術

[22p-P07-2] SiN_x膜とSiO_x膜中の空孔サイトでのイオンの生成エネルギー

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：

保護膜,耐湿性,空孔欠陥

SiN_x膜とSiO_x膜中の空孔サイトでのイオンの生成エネルギーを分子軌道計算法で計算した。生成エネルギーは①イオンによる空孔近辺の網目の変形だけでなく、②空孔とイオンの静電相互作用、③ボンド形成に依存することを示唆した。