セッション詳細
[22p-P07-1~6]13.3 絶縁膜技術
2023年9月22日(金) 16:00 〜 18:00
P07 (熊本城ホール)
[22p-P07-1]界面準位密度分布のエネルギー依存性がコンダクタンスカーブへ与える影響
〇田岡 紀之1、手島 蒼生1、一野 祐亮1、清家 善之1、森 竜雄1 (1.愛工大)
[22p-P07-2]SiNx膜とSiOx膜中の空孔サイトでのイオンの生成エネルギー
〇奥 友希1、戸塚 正裕1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)
[22p-P07-3]NH3ガス添加アニールによる低温酸化Si膜の絶縁特性
〇堀田 將1 (1.北陸先端大)
[22p-P07-4]SiO2上のUV-Ozone処理がALD膜に及ぼす影響
〇桐原 芳治1、伊藤 俊一1、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.都市大)
[22p-P07-5]傾斜エッチングを利用したエリプソメトリーによる絶縁膜のエッチングレート評価
〇鈴木 亜紀1、井上 敬子1、棚橋 優策1、関 洋文1 (1.東レリサーチセンター)
[22p-P07-6]Decomposition and Size Distribution Monitoring of AlTiO and MoS2 Precursor Mist Particles using a Fast-Scanning Mobility Particle Sizer
〇(PC)Abdul A Kuddus1, Kojun Yokoyama2, Keiji Ueno2, Shinichiro Mouri1, Hajime Shirai2 (1.Ritsumeikan Univ., 2.Saitama Univ.)