講演情報
[22p-P07-3]NH3ガス添加アニールによる低温酸化Si膜の絶縁特性
〇堀田 將1 (1.北陸先端大)
キーワード：
酸化Si膜,低温作製,絶縁特性
堆積酸化Si膜はより低温での形成が望まれているが、膜中には多くのOH成分が残留するため、絶縁性が著しく悪い。これに対して我々は、厚さ100, 220 nmのシリコーンオイルとオゾンによりSi基板上に200oCで堆積した酸化Si膜を、N2+NH3ガスで250℃、6時間のアニールを行ったところ、3 MV/cmの電界でリーク電流が約1x10-8 A/cm2程度と熱酸化Si並みの絶縁特性が得られた。