セッション詳細
[22p-P09-1~5]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2023年9月22日(金) 16:00 〜 18:00
P09 (熊本城ホール)
[22p-P09-1]MOVPE法で作製した格子整合系InAs/GaAsSb超格子の中赤外発光の温度依存性
〇小佐治 大輔1、荒井 昌和1、藤澤 剛2、前田 幸治1 (1.宮崎大工、2.北大情報科学研)
[22p-P09-2]Si/CaF2 n型三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流密度向上
〇(M1)村上 寛太1、宇佐見 遼也1、星野 麻衣子1、渡辺 正裕1 (1.東工大電気電子系)
[22p-P09-3]CaF2埋め込み構造を用いたp型Si/CaF2二重障壁共鳴トンネルダイオードのバレー電流低減
〇宇佐見 遼也1、星野 麻衣子1、村上 寛太1、渡辺 正裕1 (1.東工大工学院)
[22p-P09-4]First-principles calculation of bulk photovoltaic effect in ferroelectric topological insulator phase of halide perovskite
〇YedijaYusua Sibuea Teweng1, Naoya Yamaguchi2, Fumiyuki Ishii2 (1.Grad.Sch.of Sci.Tech, 2.NanoMaRi)
[22p-P09-5]First-principles study of anomalous valley Hall effect in WTe2/CrI3 van der Waals heterostructures
〇(M2)Syifa FauziaHariyanti Putri1, Naoya Yamuguchi2, Fumiyuki Ishii2 (1.Grad. Sch. Of Sci. & Tech., 2.NanoMari)