講演情報
[22p-P09-3]CaF2埋め込み構造を用いたp型Si/CaF2二重障壁共鳴トンネルダイオードのバレー電流低減
〇宇佐見 遼也1、星野 麻衣子1、村上 寛太1、渡辺 正裕1 (1.東工大工学院)
キーワード:
共鳴トンネルダイオード,半導体
Si/CaF2ヘテロ構造は,結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に積層エピタキシャル成長が可能であり,先行研究ではこれを用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)の室温動作実証が報告されてきた.本研究では,リーク電流の低減が見られたCaF2埋め込み構造を用いたp型Si/ CaF2二重障壁RTDにおいて,側壁CaF2の成長温度を650℃に上昇させ,界面の結晶品質を向上させることでバレー電流の低減を試みた.