[23a-A303-1~11] 13.3 絶縁膜技術

12:00 〜 12:15

[23a-A303-10] LPCVD SiN膜耐圧に及ぼす界面酸化膜の影響 (I)

〇栗田 久嗣¹、中村 真貴¹、宮川 勇人²、神垣 良昭³ (1.ローム浜松、2.香川大創造工、3.EBL)

キーワード：

窒化膜,絶縁膜破壊,キャパシタ

SiN膜キャパシタの絶縁耐圧にN₂アニール温度が影響する。900℃で界面に酸素起因のSiダングリングボンドが増加し、1000℃以上で酸化膜由来のSiダングリングボンドが増加する。本研究ではSiNキャパシタにおいてSiN膜/Poly-Si界面に熱酸化膜を形成し、SiN膜耐圧に及ぼす酸化膜の影響を調査した。熱酸化膜の厚さによりSiN膜耐圧は大きく変化した。