セッション詳細
[23a-A303-1][分科内招待講演] インピーダンス計測プラットフォーム技術を用いた機能性薄膜に関する電気的特性の統計的計測
〇齊藤 宏河1、鈴木 達彦1、光田 薫未1、間脇 武蔵1,2、諏訪 智之2、寺本 章伸2,3、須川 成利2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe、3.広大ナノデバイス研究所)
[23a-A303-2][分科内招待講演] ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ形状およびドレイン-ソース間電圧依存性の統計的解析
〇間脇 武蔵1,2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe)
[23a-A303-3]電流計測プラットフォームを用いた高容量密度トレンチキャパシタのトラップ特性に関する統計的計測
〇(M2)鈴木 達彦1、齊藤 宏河1、光田 薫未1、間脇 武蔵1,2、須川 成利2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe)
[23a-A303-4]抵抗計測プラットフォームを用いたHfOx膜抵抗変化の統計的計測
〇(M2)光田 薫未1、鈴木 達彦1、齊藤 宏河1、間脇 武蔵1,2、須川 成利2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe)
[23a-A303-5]The study of nitrogen vacancy based hBN ReRAM using reactive sputtering
〇(M2C)Chau Do1,2, Om Kumar Prasad1,2, Mai Thu Thi1, Chin Han Chung1,2 (1.National Yang Ming Chiao Tung Univ., 2.Radhard lab)
[23a-A303-6]超高エネルギー分解能STEM-EELSを用いた原子密度の異なるSiO2のフォノン分析
〇浅野 孝典1、手面 学1、齋藤 真澄1、田中 洋毅1 (1.キオクシア(株))
[23a-A303-10]LPCVD SiN膜耐圧に及ぼす界面酸化膜の影響 (I)
〇栗田 久嗣1、中村 真貴1、宮川 勇人2、神垣 良昭3 (1.ローム浜松、2.香川大創造工、3.EBL)
[23a-A303-11]LPCVD SiN膜耐圧に及ぼす界面酸化膜の影響 (II)
〇宮川 勇人1、文谷 公亮1、栗田 久嗣2、中村 真貴2、神垣 良昭3 (1.香川大創造工、2.ローム浜松、3.EBL)