2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.3 絶縁膜技術

[23a-A303-1~11]13.3 絶縁膜技術

2023年9月23日(土) 9:00 〜 12:30
A303 (熊本城ホール)
三谷 祐一郎(都市大)、 田岡 紀之(愛工大)
9:00 〜 9:30

[23a-A303-1][分科内招待講演] インピーダンス計測プラットフォーム技術を用いた機能性薄膜に関する電気的特性の統計的計測

〇齊藤 宏河1、鈴木 達彦1、光田 薫未1、間脇 武蔵1,2、諏訪 智之2、寺本 章伸2,3、須川 成利2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe、3.広大ナノデバイス研究所)
9:30 〜 10:00

[23a-A303-2][分科内招待講演] ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ形状およびドレイン-ソース間電圧依存性の統計的解析

〇間脇 武蔵1,2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[23a-A303-3]電流計測プラットフォームを用いた高容量密度トレンチキャパシタのトラップ特性に関する統計的計測

〇(M2)鈴木 達彦1、齊藤 宏河1、光田 薫未1、間脇 武蔵1,2、須川 成利2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe)
10:15 〜 10:30

[23a-A303-4]抵抗計測プラットフォームを用いたHfOx膜抵抗変化の統計的計測

〇(M2)光田 薫未1、鈴木 達彦1、齊藤 宏河1、間脇 武蔵1,2、須川 成利2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー英語発表

[23a-A303-5]The study of nitrogen vacancy based hBN ReRAM using reactive sputtering

〇(M2C)Chau Do1,2, Om Kumar Prasad1,2, Mai Thu Thi1, Chin Han Chung1,2 (1.National Yang Ming Chiao Tung Univ., 2.Radhard lab)
11:00 〜 11:15

[23a-A303-6]超高エネルギー分解能STEM-EELSを用いた原子密度の異なるSiO2のフォノン分析

〇浅野 孝典1、手面 学1、齋藤 真澄1、田中 洋毅1 (1.キオクシア（株）)
11:15 〜 11:30

[23a-A303-7]SiN膜における短時間領域を含むホール捕獲・放出現象の包括的な解析

〇関 春海1、市原 玲華1、中崎 靖1、齋藤 真澄1、鈴木 正道1 (1.キオクシア)
11:30 〜 11:45

[23a-A303-8]マグネシウムをドープしたシリコン窒化膜の電荷捕獲特性

〇諸星 大樹1、小林 清輝1 (1.東海大院工)
11:45 〜 12:00

[23a-A303-9]シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の影響

〇宮内 陵1、木本 健嗣2、前島 邦光2、小林 清輝1 (1.東海大院工、2.電子科学(株))
12:00 〜 12:15

[23a-A303-10]LPCVD SiN膜耐圧に及ぼす界面酸化膜の影響 (I)

〇栗田 久嗣1、中村 真貴1、宮川 勇人2、神垣 良昭3 (1.ローム浜松、2.香川大創造工、3.EBL)
12:15 〜 12:30

[23a-A303-11]LPCVD SiN膜耐圧に及ぼす界面酸化膜の影響 (II)

〇宮川 勇人1、文谷 公亮1、栗田 久嗣2、中村 真貴2、神垣 良昭3 (1.香川大創造工、2.ローム浜松、3.EBL)
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