講演情報
[23a-A303-11]LPCVD SiN膜耐圧に及ぼす界面酸化膜の影響 (II)
〇宮川 勇人1、文谷 公亮1、栗田 久嗣2、中村 真貴2、神垣 良昭3 (1.香川大創造工、2.ローム浜松、3.EBL)
キーワード：
窒化膜,電子スピン共鳴,絶縁破壊
LP-CVD成膜の SiN膜の耐圧不良（絶縁破壊）の原因となりえるSi団ぐリングボンドの密度と分布について、特にSiN成膜前の下地Si表面の熱酸化の影響を調べた。異なる熱酸化膜の厚みの試料についての電子スピン共鳴（ESR）の測定から、例えば、E‘センターの数が酸化膜の厚みに応じた単調増加を示さないなど、いくつかの情報が得られた。