講演情報
[23a-A303-2][分科内招待講演] ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ形状およびドレイン-ソース間電圧依存性の統計的解析
〇間脇 武蔵1,2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe)
キーワード：
半導体,ランダムテレグラフノイズ,MOSトランジスタ
我々はMOSトランジスタにおけるランダムテレグラフノイズ(RTN)のメカニズムを明らかにするために、RTNのトランジスタ構造およびVDSの依存性を調査した。長方形のゲート形状に加え台形形状や埋め込みチャネル、素子分離といった構造を変更したトランジスタでRTNの統計的解析を行った。
その結果、各VDS条件下で形成されたチャネル幅が最小となる領域付近のトラップによるRTNが、支配的であると明らかにした。
その結果、各VDS条件下で形成されたチャネル幅が最小となる領域付近のトラップによるRTNが、支配的であると明らかにした。