講演情報
[23a-A303-4]抵抗計測プラットフォームを用いたHfOx膜抵抗変化の統計的計測
〇(M2)光田 薫未1、鈴木 達彦1、齊藤 宏河1、間脇 武蔵1,2、須川 成利2、黒田 理人1,2 (1.東北大院工、2.東北大NICHe)
キーワード：
半導体,HfOx膜,抵抗変化
本稿では抵抗計測プラットフォームを用いたHfOx膜抵抗変化の統計的計測について報告する。抵抗計測プラットフォームは、メモリ材料を簡便な追加プロセスで形成できるアレイテスト回路を用いて、2次元アレイ状に多数のDUT(Device Under Test)を形成することで、多岐にわたる材料の抵抗値を高速・高精度に統計的評価することができる計測技術である。今回は、HfOx膜をプラットフォームに形成し、HfOx膜抵抗変化の統計的計測について報告する。