[23a-A602-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

9:00 〜 9:15

[23a-A602-1] ポストアニールと薄化によるSn添加多結晶Ge薄膜（≤20nm）のキャリア移動度の向上

〇古賀 泰志郎¹、永野 貴也¹、茂藤 健太²、山本 圭介²、佐道 泰造¹ (1.九大システム情報、2.九大総理工)

キーワード：

半導体